机译:一种新型体结硅绝缘体(sOI)n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,带有接地体电极
机译:带有接地体电极的新型体贴式绝缘体上硅(SOI)n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:带有接地体电极的新型绝缘体绝缘硅(SOI)n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有标准波长互补金属氧化物半导体技术的具有波长选择金属栅结构的高灵敏度栅/主体束缚金属氧化物半导体场效应晶体管型光电探测器
机译:用于N沟道镓砷化物金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的原位表面钝化和金属栅/高k电介质叠层形成
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:具有ZrO2栅极电介质的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的正偏置温度不稳定性
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)